锑化物HEMT器件研究进展

摘要：

由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间.本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景.

关键词：锑化物半导体、高电子迁移率晶体管、HEMT、ABCS、研究进展

所属期刊栏目：17

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60876004

在线出版日期：2011-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：29-35