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10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.001

Pb(TiSn)O3掺杂及烧结温度对BaTiO3系统介电性能的影响

引用
对Pb(TiSn)O3掺杂及烧结温度对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响进行了研究.研究表明,在BaTiO3陶瓷中添加Pb(TiSn)O3,产生细晶效应使介电常数增大,同时居里温度升高到到150℃,电容量变化率特性改善.XRD分析表明,四方率随烧结温度的提高而减小,有助于电容量变化率特性的改善.本实验获得了满足X8R特性的瓷料系统,掺杂0.9mo1%Pb(TiSn)O3的BaTiO3陶瓷在1180℃烧结6小时的介电性能如下:介电常数ε25℃>1500,介电损耗tanδ<1.8%,-55 ℃~180℃范围内最大电容量变化率≤±15%.

电子材料、钛酸钡、X8R、烧结温度

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TQ174

国家自然科学基金资助项目60871026

2011-05-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2011,17(1)

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