倾斜磁控溅射制备低阻高透ITO薄膜及其光电特性

摘要：

利用直流磁控溅射方法,在Ar和O2的混合气氛中,采用陶瓷靶制备ITO薄膜;采用紫外-可见-红外分光光度计和四探针法研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电特性的影响.实验结果表明,当靶材角度在23-25℃、O2流量在7-9sccm、溅射时间在60-90min和溅射功率在100-120W时获得可见光透过率高于90%,方阻在10-20Ω/口之间的优质ITO薄膜.

关键词：ITO透明导电膜、直流磁控溅射、室温沉积、靶材倾斜角度

所属期刊栏目：16

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2011-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：600-604