内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究

摘要：

研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线.在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的I-V特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响.在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象.这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释.这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器.

关键词：InAs量子点、场效应晶体管、悬浮栅、负微分电导

所属期刊栏目：16

分类号：TN303;TN304(半导体技术)

资助基金：内嵌量子点的调制掺杂场效应管的光电特性60606024

在线出版日期：2011-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：596-599