磁控溅射法制备La0.96Sr0.04MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质p-n结的电学性能

摘要：

利用磁控溅射法制备了La0.96Sr0.04MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质p-n结,研究了20-300 K温度范围内该p-n结的伏安特性,在20-300 K该p-n结表现出优异的整流特性,在温度大于100K时该异质p-n结I-V特性符合热激发模型.该异质结在170 K温度点表现出明显的金属-绝缘态转变,电阻温度曲线表现为绝缘态→金属态→绝缘态的转变过程.在5 T磁场作用下,随温度增大,正偏压时磁致电阻(MR)逐渐从负变为正;而在负偏压下MR逐渐从正变为负,并在-1 V的偏压下、金属-绝缘态转变温度点170 K处达到负的最大值-50.6%.

关键词：p-n异质结、整流特性、磁致电阻

所属期刊栏目：16

分类号：O475;O484.1;O484.4(半导体物理学)

资助基金：北京市教委科研项目面上项目KM200910005023;北京市党委组织部优秀人才D类;北京工业大学固体微结构所开放课题

在线出版日期：2011-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：585-589