相变存储器中选通二极管的模型与优化

摘要：

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V.文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流.

关键词：相变存储器、选通二极管、数值模拟

所属期刊栏目：16

分类号：TN313+.6(半导体技术)

资助基金：国家集成电路重大专项2009ZX02023-3;国家重点基础研究发展计划2007CB935400,2010CB934300,2006CB302700;国家863计划2008AA031402;上海市科委08DZ2200700,08JC1421700,09QH1402600;中科院"院长特别奖获得者科研启动专项资金"083YQA1001

在线出版日期：2011-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：536-541