CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺

摘要：

本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响.研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层.刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大.减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低.

关键词：氧离子刻蚀、CdZnTe晶片、表面性能

所属期刊栏目：16

分类号：TN304.07(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目50772091 ,50772091,50902113;教育部"新世纪人才支持计划"NCET-07-0689;陕西省自然科学基础研究计划2007E105

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：515-518