直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜

摘要：

采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟(α-IZO)薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管.通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的α-IZO薄膜的电阻率可具有10-3～106Q·cm即109倍的变化范围.在氧气压强Po2=5×10-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%.试制了基于α-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管.测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm2V-1s-1,电流开关比约为103.实验结果预示α-IZO薄膜在TFT-LCD和AMOLED等平板显示领域具有应用前景.

关键词：掺锌氧化铟、直流反应磁控溅射、薄膜晶体管

所属期刊栏目：16

分类号：TN386.2(半导体技术)

资助基金：教育部博士点基金项目20070246032

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：419-423