浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

摘要：

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.

关键词：控制电路、存储单元、单粒子效应、电荷损失

所属期刊栏目：16

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：407-412