考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真

摘要：

基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.

关键词：AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管、解析模型、自热效应、直流Ⅰ-Ⅴ特性

所属期刊栏目：16

分类号：TP2(自动化技术及设备)

在线出版日期：2010-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：374-378