应变硅的应变量表征技术

摘要：

本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法:Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科学参考.

关键词：CMOS、应变硅、Raman光谱

所属期刊栏目：16

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家杰出青年科学基金60725415;中国博士后科学基金资助号:20080441164

在线出版日期：2010-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：323-328