短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析

摘要：

本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟.计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阚值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合.

关键词：短沟道n-MOSFET、亚阈值电流、解析模型、数值模拟

所属期刊栏目：16

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：云南省自然基金重点项目2008CC012;国家自然基金10964016和60567001

在线出版日期：2010-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：311-315