一种硅埋置型系统级封装中集成毫米波无源器件工艺

摘要：

本文研究了一种基于低阻硅埋置腔体和BCB/Au金属布线的系统级封装技术,改进了介质层BCB在有腔体硅衬底上的第一次旋涂工艺.利用25um厚的BCB介质层,在低阻硅衬底上设计、制作了微带传输线(MSL)、接地共面波导线(CPWG),测试发现具有理想的传输性能:标准50欧姆微带传输线,在20-30GHz频带内插入损耗小于0.08dB/mm,回波损耗大于32dB/mm.在此基础上基于薄膜微带线结构设计、制作了一种应用于K波段雷达前端系统集成功分器,面积约为1.6×0.84mm2,插入损耗小于0.45dB,端口回波损耗大于25dB.

关键词：系统级封装(SIP)、微带传输线、共面波导线、功分器

所属期刊栏目：16

分类号：O441.4(电磁学、电动力学)

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：294-298