射频反应溅射制备倾斜AlN薄膜

摘要：

采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜.用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理.分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AIN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°.

关键词：C轴倾斜、AlN薄膜、射频反应溅射

所属期刊栏目：16

分类号：O484.8(固体物理学)

资助基金：湖北省自然科学基金重点项目No.2008CDA018湖北省教育厅重点项目Q200710007

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：285-288