采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管

摘要：

本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对.研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积.键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底.通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制.

关键词：晶圆键合、氮化镓、发光二极管、剥离

所属期刊栏目：16

分类号：TP212.9(自动化技术及设备)

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：276-280