Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

摘要：

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验.结果表明加固工艺能有效提高SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估.

关键词：SIMOX、SOI、总剂量辐射效应、Pseudo-MOS晶体管

所属期刊栏目：16

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：271-275