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10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.018

Mo电极形貌对AIN薄膜择优取向生长的影响

引用
采用射频磁控溅射方法在不同形貌的Mo电极上制备了(002)择优取向的AIN薄膜.采用XRD、FESEM表征了Mo电极及AIN薄膜的结构、表面形貌及择优取向.结果表明,Mo电极的形貌影响AIN薄膜的择优取向生长,在较高溅射气压下沉积的Mo电极晶粒细小、分布均匀,有助于AIN薄膜(002)择优取向生长.

磁控溅射、Mo电极、AIN薄膜、择优取向

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TB43(工业通用技术与设备)

国家自然科学基金50872031

2010-06-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2010,16(2)

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