氧分压对Al2O3:Ce薄膜的发光性能及表面形貌的影响

摘要：

应用中频反应磁控溅射设备制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.在溅射时靶电压随氧气分压比的增加而减小,而当氧分压比增大时靶电压沿另一条路径变化,即呈现迟滞回线现象.通过控制氧分压比改变Al2O3:Ce3+薄膜的发光性质.经光致发光检测,薄膜的光致发光谱是在374nm附近的非对称波峰,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.当氧分压比增加时薄膜的发光强度增加,在氧分压比为15%是发光强度最大,其后随氧分压比增大发光强度有减小趋势.薄膜的厚度随氧分压比的增加而呈减小的趋势.X射线衍射(XRD)检测表明所制备透明薄膜为非晶态.扫描电镜检测(SEM)显示,随着氧分压的增加非晶薄膜表面趋于致密平滑.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.

关键词：光致发光、Al2O3、薄膜、磁控溅射、稀土元素

所属期刊栏目：16

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50376067;辽宁省教育厅科学基金资助项目2008316

在线出版日期：2010-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：119-124