氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响

摘要：

采用反应直流磁控溅射法在Al_2O_3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N_2/(N_2+ Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响.结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低.当N_2流量较低(2%～4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta_2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ·cm到412μΩ·cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃.当氮气流量较高(5%～6%)时,薄膜中Ta_2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta_3N_5相,薄膜的电阻率在940μΩ·cm到1030μΩ·cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃.

关键词：TaN薄膜、TCR、磁控溅射、氮流量

所属期刊栏目：16

分类号：TB43;TN6(工业通用技术与设备)

资助基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目KFJJ200804

在线出版日期：2010-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：85-88