超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征

摘要：

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响.研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于1200nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低.Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质.

关键词：SOI、SIMOX、Pseudo-MOSFET、隐埋氧化层

所属期刊栏目：16

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：47-51