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10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.013

Sendust软磁合金材料磁损耗研究及器件的制备

引用
本文研究了Sendust软磁合金复合材料在动态场和高频下涡流损耗、磁滞损耗等的主要机理,侧重报道Sendust软磁合金材料的磁损耗理论和实验工艺研究相结合所作的工作,并介绍了用于EMI抑制的Sendust软磁复合材料元器件的制作过程,经测试其在频段范围800MHz~1.5GHz内,磁导率虚部平均值为10.4,平均抑制效果(S21)可达11.5dB.

磁损耗、软磁合金、电磁干扰、涡流损耗、磁滞损耗

15

TQ174.756

北京市自然科学基金资助项目2062006

2010-03-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2009,15(6)

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