10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.013
Sendust软磁合金材料磁损耗研究及器件的制备
本文研究了Sendust软磁合金复合材料在动态场和高频下涡流损耗、磁滞损耗等的主要机理,侧重报道Sendust软磁合金材料的磁损耗理论和实验工艺研究相结合所作的工作,并介绍了用于EMI抑制的Sendust软磁复合材料元器件的制作过程,经测试其在频段范围800MHz~1.5GHz内,磁导率虚部平均值为10.4,平均抑制效果(S21)可达11.5dB.
磁损耗、软磁合金、电磁干扰、涡流损耗、磁滞损耗
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TQ174.756
北京市自然科学基金资助项目2062006
2010-03-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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