图形化硅纳米线阵列的制备

摘要：

本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.

关键词：硅纳米线、选择性生长、图形化

所属期刊栏目：15

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60672002

在线出版日期：2010-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：587-590