基于AlN基板的不同Al组分的AlGaN材料生长

摘要：

采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130aresec,表面粗糙度为2.021nm.以此AIN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜在生长合并过程中产生的张应力也增大.在Al组分为0.67时,发现这两种应力处于一种平衡的状态,此时的AlGaN薄膜有最优的结晶质量.

关键词：脉冲MOCVD法、AlGaN材料、薄膜应力

所属期刊栏目：15

分类号：TN304;O484(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点基金60736033;863高技术计划2996AA03A108支持研究

在线出版日期：2010-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：575-580