材料热电特性对相变存储器功耗的影响

摘要：

本文建立了相变存储器存储单元的有限元分析模型,对相变材料以及加热电极热电参数对加热效率、功耗的影响进行了研究.模拟研究表明:引入了随温度变化的相变层热导率,能更精确地模拟器件温度场;加热电极电阻率与相变层电阻率越大,加热效率越高,功耗越低;但为了使加热效率更集中在相变材料层中,加热电极电阻率不能大于相变层电阻率.其中,在相变材料设计选择方面,具有较高电阻率的Si_2Sb_2Te_5较传统的Ge_2Sb_2Te_5更适合应用于低功耗相变存储器的应用;而在底部加热电极的选择上,具有较高电阻率和低热导率的TiN较TiW、W或Ti等电极相比,在低功耗方面更具优势.

关键词：相变存储器、有限元分析、电学性能、热学性能、加热效率

所属期刊栏目：15

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：530-536