利用表面活性剂量改变孔洞率制备的纳米多孔SiO2膜

摘要：

采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,在酸性条件下产生多孔结构,再经热处理去除CTAB.实验中使用溶胶-凝胶技术,正硅酸乙酯(WEOS)为硅源,以及二次去离子水,盐酸为催化剂等原料,利用表面活性剂与硅源水解后形成的聚集体相互作用,在溶液中形成分子自组装体,制备前驱体溶胶.通过简单提拉迅速蒸发溶剂制备纳米多孔或纳米介孔SiO2薄膜,分析和研究了表面活性荆浓度对纳米多孔SiO2薄膜的结构和孔洞率的影响,通过操纵表面活性剂的含量,能控制薄膜的纳米结构、孔洞率、孔大小和孔的形态以及膜的形貌.小角度射线衍射、场发射透射电子显微镜、原子力显微镜显示可以制得具有六方、立方和由三维六方和简单立方组成的新相结构以及比介孔大的纳米多孔结构的薄膜.椭偏仪测量得到所制备薄膜的孔洞率为51.8%-65.6%,借助此孔洞率能计算薄膜的折射率和介电常数.

关键词：纳米多孔、介孔结构、SiO2薄膜、表面活性剂、改变孔洞率、溶胶-凝胶方法

所属期刊栏目：15

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：Foundation item:Innovation Program of Shanghai Municipal Education Commission08YZ97

在线出版日期：2009-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：490-496