自分离硅微通道的氧化

摘要：

本文研究了自分离硅微通道(self lift-off silicon microchannels)的氧化问题.自分离是在特定的实验条件下,在完成电化学刻蚀后,硅微通道可以自动和衬底分离的一种新技术.研究发现,在使用传统的干氧-湿氧-干氧氧化化过程中,硅微通道出现了弯曲变形的现象.微通道越薄,其形变越大.通过使用较厚的硅微通道以及在干-湿-干氧化过程之前增加了干氧,以及先进行激光切割的步骤,改善和基本消除了弯曲变形的现象.

关键词：自分离硅微通道、弯曲变形、氧化

所属期刊栏目：15

分类号：TP211+.4(自动化技术及设备)

资助基金：上海市基础研究重点基金08JC1408900;国家自然科学基金50672027

在线出版日期：2009-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：483-489