10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.010
分布反馈量子级联激光器的光栅制备
利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制.在量子级联激光器的In-GaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB.
分布反馈激光器、全息曝光、光栅制备
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TN365;O627.52+1(半导体技术)
国家自然科学基金60676026,60406008,60136010;863项目2006AA0320406;9732006CB6049036
2009-12-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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