期刊专题

10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.010

分布反馈量子级联激光器的光栅制备

引用
利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制.在量子级联激光器的In-GaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB.

分布反馈激光器、全息曝光、光栅制备

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TN365;O627.52+1(半导体技术)

国家自然科学基金60676026,60406008,60136010;863项目2006AA0320406;9732006CB6049036

2009-12-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

471-476

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

15

2009,15(5)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
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