PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性

摘要：

本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.

关键词：绝缘体上的硅、闩锁、金属氧化物半导体

所属期刊栏目：15

分类号：TN306;TN304.07(半导体技术)

在线出版日期：2009-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：429-434