压力对热丝化学气相沉积的CH4/H2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响

摘要：

在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响.研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响.在40torr的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长.压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因.在同样的Ar含量下,在5torr下的C2活性基团的浓度高于40 torr的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长.

关键词：纳米金刚石薄膜、热丝化学气相沉积、压力、Ar浓度

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分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：Key Project of Chinese Academy of Sciences Knowledge Innovation ProgramGrant KJCX3.SYW.N10;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 10375085

在线出版日期：2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：399-403