外加磁场对应变RTD电流负阻"平台"的抑制作用

摘要：

本文在实验上观察到GaAs/A1As/InGaAs应变共振隧穿二极管(RTD)在电流负阻区出现一段"平台"现象,该现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合.在外加磁场的作用下,它们之间的耦合得到抑制,在一定的磁场下,负阻"平台"现象消失.此外,峰值电流随磁场增加而减小,导致峰谷电流比下降,同时峰值电压也发生相应的变化.

关键词：应变RTD、外加磁场、电流特性

所属期刊栏目：15

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：本工作得到上海市教委科研创新项目08LZ142

在线出版日期：2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：365-369