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10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017

射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

引用
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.

纳米硅薄膜、RF溅射、Ⅰ-Ⅴ曲线、能带模型

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TM(电工技术)

the fund for selecting outstanding youth teacher of Shanghai Municipal Education Committee,China

2009-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

299-302

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2009,15(3)

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