纤锌矿结构ZnO的准粒子能带结构

摘要：

理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似(LDA),而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了.在本文中,我们在密度泛函理论的LDA近似的框架下,通过第一性原理GW近似(GWA)对ZnO的能带进行了修正.在LDA和GWA计算中,将Zn3d电子作为价电子,LDA结果表明ZnO是一种直接带隙半导体,同时讨论了LDA和GWA计算得到的能带之间的差异.

关键词：ZnO、准粒子能带结构、GW、第一性原理

所属期刊栏目：15

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：NSF of China under Grant No.6067655.National Key Project for Basic Research of China2005CB623605;NSF of Fujian Province E0320002.Fund of National Engineering Research Center for Optoelectronic Crystalline Materials2005DC105003

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：285-289