表面金属化对多孔硅光特性的影响

摘要：

在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟.多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得.X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动.这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的.

关键词：多孔硅、金属化、晶体场

所属期刊栏目：15

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：Shanghai Natural Science Foundation07ZR14033;Shanghai Pujiang Program08PJ14043;Special Project for Nanotechology of shanghai0752nm011;Applied Materials Shanghai Research & Development Fund07SA12

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：280-284