金属纳米晶的制备及其在MOS电容结构中的存储特性

摘要：

优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.

关键词：非挥发性存储器、纳米晶、金属纳米晶

所属期刊栏目：15

分类号：TP343(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金60776058;国家重点基础研究发展计划2007CB935400,2006CB302700;上海市纳米技术专项0752nm027

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：249-253