a-Si/a-SiNx超晶格材料光学特性

摘要：

采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.

关键词：a-Si/a-SiNx超晶格、光致发光、量子限制效应、射频磁控反应溅射

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分类号：TB34;O482.31(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60678053;国家重点基础研究发展计划973计划课题2007CB613401

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：223-227