AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术

摘要：

对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.

关键词：AIGaN/GaN、HEMT、凹栅槽、低损伤刻蚀、C2H4

所属期刊栏目：15

分类号：TN325(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展规划2002CB311903;中国科学院重点创新KGCX2-SW-107

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：193-196