制备温度对多孔硅光学特性的影响

摘要：

本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.

关键词：多孔硅、制备温度、光特性

所属期刊栏目：15

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：Shanghai Natural Science Foundation07ZR14033;Shanghai Pujiang Program08PJ14043;Special Projeet for Nanotechology of shanghai0752nm011;Applied Materials Shanghai Research & Development Fund07SA12

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：165-168