10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.003
脉冲激光沉积生长单相的Nd1.85 Ce0.15 CuO4薄膜及其激光感生热电电压效应
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在SrTiO3单晶衬底表面外延生长单相的1.85 Ce0.15 CuO4(NCCO)薄膜,并首次在斜切衬底上生长的NCCO薄膜中探测到激光感生热电电压(LITV)信号.实验研究表明,在低沉积温度、高沉积氧压和较大的激光脉冲重复频率下生长的NCCO薄膜中存在Nd1-xCexO<<1.75>,(NCO)杂相,是由于衬底表面吸附粒子扩散迁移困难所致;而高温下真空退火导致杂相的产生,则与NCCO的结构相变引起的热分解有关.通过提高沉积温度、降低沉积氧压和激光脉冲重复频率、并采用低温(T≤800℃)真空退火的方式,可以抑制杂相的形成.制备得到的单相的NCCO外延薄膜是一种新型的原子层热电堆材料,能量为1mJ的紫外脉冲激光的辐照,可以在倾斜的NCCO薄膜中诱导产生0.8V的LITV信号.
Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜、激光感生热电电压效应、脉冲激光沉积、X射线衍射
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TM26+2;O484.1;O484.4(电工材料)
国家自然科学基金10274026
2009-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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