纳米集成电路中镍基CMP工艺

摘要：

机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS.鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力、低的电阻和制备温度以及机械特性,本文研究了镍及镍基合金用于具有运动结构的纳/微EMS器件的可行性,重点研究了基于镍的CMP工艺,其电化学势的变化用电动势极化曲线进行了分析,镍膜层表面用XPS和SEM进行了分析,结果表明:镍的刻蚀速率随着双氧水和缓蚀剂EDTA浓度中加而增加,在双氧水浓度在1%左右时达到最大.其刻蚀过程的动态和静态的电动势极化曲线具有明显不同,XPS分析表明:无双氧水的刻蚀液薄膜表面主要是形成NiO,存在H2O2的刻蚀液薄膜表面主要是形成Ni(OH)2,表面的镍所处的电化学状态是影响刻蚀行为的主要原因.

关键词：机械化学抛光、纳/微机械、镍、电动势

所属期刊栏目：15

分类号：TN405.97;TN305.2(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：83-86