高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性

摘要：

采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.

关键词：高介电栅介质材料、激光分子束外延、二氧化铪

所属期刊栏目：15

分类号：TN304.2+1;TN386.1;O484(半导体技术)

资助基金：National Natural Science Foundation of China50372083;the Knowledge Innovation Program of the Chinese A-cademy of Sciences072C201301;the graduate student innovation program of the Chinese academy of sciences

在线出版日期：2009-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74