基于MEMS制作n-ZnO/p-Si异质结及特性

摘要：

基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析.

关键词：MEMS、异质结、磁控溅射、ZnO薄膜

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分类号：TN322(半导体技术)

资助基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目11521215;国家自然科学基金项目60676044;电子工程黑龙江省高校重点实验室项目DZZD2006-12

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1026-1030