源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响

摘要：

采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOIMOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响.结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善.

关键词：绝缘体上硅SOI、ESD、源漏硅化物、二次击穿、导通电阻、栅接地NMOS器件

所属期刊栏目：14

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金No:50576014:旋流式微混合器内旋流流动及相变过程研究

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1007-1012