基于Ga-SbTe的高性能相变存储单元的设计和仿真

摘要：

相变存储器(PCM)因依靠电阻率的变化来存储的模式,成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点.然而,相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈.对此,设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型嵌入式相变存储器,并建立有限元(FEA)热学,结晶动力学和SPICE宏模型.通过瞬态热学和结晶动力学仿真表明,基于Ga3sb8Te1的相变存储器具有更高的热稳定性和可循环擦写次数、更低的复位功耗,更快的置位频率,是一种较为理想的高性能相变存储器.

关键词：相变存储器、瞬态热学仿真、结晶动力学、SPICE宏模型

所属期刊栏目：14

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家973计划资助2003CB314702;国家自然科学基金资助项目60571004,90406024

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：988-994