Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

摘要：

为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.

关键词：VDMOS、辐照、氧化物陷阱电荷、界面态电荷

所属期刊栏目：14

分类号：TN42(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：927-930