多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析

摘要：

本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.

关键词：静态随机存储器、单比特位失效、多晶硅栅耗尽

所属期刊栏目：14

分类号：TN4;TN3

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：923-926