单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备

摘要：

通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.

关键词：单光子源、低密度、量子点

所属期刊栏目：14

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：中国博士后科学基金资助项目20060390385

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：915-918