衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.

关键词：射频磁控溅射、HfO2薄膜、衬底温度、微观结构

所属期刊栏目：14

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：911-914