10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.010
柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应
采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强.
柔性基底、FeCoSiB非晶磁弹性薄膜、应力阻抗效应
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TB3;TQ3
自然科学基金50501004;国防预研基金9140A23060307DZ0223
2008-12-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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907-910