硫化温度对CuInS2吸收层薄膜微结构的影响

摘要：

采用电沉积-硫化法制备了CuInS2(CIS)薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和组分进行了表征.结果表明:在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性CuxS二元相,后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除.硫化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有[112]择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层.

关键词：Cu-In预制膜、CuInS2薄膜、硫化温度、KCN刻蚀

所属期刊栏目：14

分类号：TM615(发电、发电厂)

资助基金："十一五"国家高技术研究开发计划863计划资助项目2006AA03Z237

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：900-906