基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析

摘要：

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.

关键词：高分辨X射线衍射、InGaAs、InAlAs、错向角、摇摆曲线、倒空间mapping

所属期刊栏目：14

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：889-894